| Materiał | Polikrystaliczny 3C-SiC na monokrystalicznym krzemie (37544) |
| Wyrób | Elementy 10 cm x 10 cm z polikrystalicznego 3C-SiC na podłożach z monokrystalicznego krzemu (37566) |
| Ekspert | Stanisława Dalczyńska-Jonas |
| Afiliacje |
| Nazwa | AGH University of Science and Technology, Faculty of Materials Science and Ceramics (AGH UST) |
| Adres | Mickiewicza 30, Kraków 30-059, Poland |
|
| Opis |
- Nazwa wyrobu : Elementy 10 cm x 10 cm z polikrystalicznego 3C-SiC na podłożach z monokrystalicznego krzemu
- Opis wyrobu: Wyrób otrzymuje się metodą MWCVD, w temperaturach 1000-1300K na podłożach z monokrystalicznego krzemu. Wielkość otrzymywanych elementów ograniczona jest konstrukcją aparatury
- Zalety:
- Poziom technologii - skala czasowa:
- Egzemplarz próbny (demonstrator laboratoryjny): 2008
- Start produkcji przemysłowej: 2012
- Produkt w masowym użyciu: 2014
- SWOT - Analiza sił i słabości:
- Mocne strony (STRENGHTS):
- :
- Siła: 1. Urządzenia oparte na SiC posiadają wiele zalet jak np. wysoka temperatura pracy, wyższa odporność na przebicie lawinowe, wyższy współczynnik przewodnictwa temperaturowego.
- Siła: Właściwości i parametry, którymi charakteryzuje się węglik krzemu pozwalają na projektowanie urządzeń o wyższych mocach oraz wyższych częstościach pracy.
- Siła: 3. Podłoża do wzrostu diamentów, GaN i innych materiałów
- Słabe strony (WEAKNESSES):
- :
- Słabość: Niejednorodny skład politypowy, polikrystaliczność warstw ograniczają budowę urządzeń na bazie węglika krzemu.
- Słabość: Dostosowanie metody w celu umożliwienia osadzania warstw na kształtach o dużych gabarytach
- Słabość: Duże nakłady kapitałowe potrzebne do uruchomienia produkcji
- Szanse (OPPORTUNITIES):
- :
- Szansa: Możliwość zastąpienia układów krzemowych w układach wysokotemperaturowych
- Szansa: Konstrukcja całej gamy urządzeń pracujących i monitorujących w wysokich temperaturach
- Szansa: Ochrona środowiska poprzez zastosowanie układów zbudowanych na bazie węglika krzemu sterujących spalaniem w silnikach
- Szansa: Właściwości optoelektroniczne umożliwią rozwój niebieskiej optoelektroniki na bazie tego materiału.
- Zagrożenia (THREATS):
- :
- Zagrożenie: Brak instytucji badawczo-rozwojowych przygotowujących do wdrożenia zaawansowane prace w skali laboratoryjnej
- Zagrożenie: Brak wykwalifikowanej kadry ze względu na emigrację zarobkową
- Zagrożenie: Wysoka konkurencja i zaawansowanie prac w USA i Japonii
- Zagrożenie: Brak w kraju przemysłu zajmującego się wytwarzaniem materiałów o wysokim zaawansowaniu technologicznym
|